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Diodes推出完全自保护式低压侧MOSFET ZXMS6004FF

Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封装，与正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封装的元件相比节省了85%的占板空间。

虽然SOT23F的扁平封装体积小巧，但其卓越的散热性能可使ZXMS6004FF提供三倍于同类较大封装元件的封装功率密度。这款最新IntelliFET的导通电阻仅为500mΩ，能够使功耗保持在绝对极小值。

ZXMS6004FF将静电放电（ESD）、过压、过流及过温保护集成于一个高散热效率封装，为元件本身及负载提供了完善的保护，有助于减少元件数、印刷电路板尺寸及系统总成本，满足各种汽车及工业应用需要。该器件的超小外形也使空间有限的应用能够首次集成自保护式的MOSFET。

该器件的连续额定电流为1A，且符合AECQ101标准，能耐受60V的负载突降瞬变。ZXMS6004FF的逻辑电平输入为3.3V或5V，可通过微控制器输出直接驱动。
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