中电网移动|移动中电网|高清图滚动区

Spansion推出针对消费及工业应用的3V MirrorBit NOR产品

Spansion宣布其65nm 3V 512Mb及1Gb高容量MirrorBit® NOR解决方案现已在该公司旗舰级300mm SP1晶圆厂进行量产，首批器件已于本季度初向客户发货。MirrorBit NOR GL产品系列是用于可靠的代码执行和数据存储的领先解决方案之一，可用于广泛的高容量消费类及工业应用领域，包括汽车导航系统、通讯基础设施设备、游戏及工业控制等。该65nm MirrorBit NOR GL器件为无缝过渡到定于2009年推出的下一代管脚兼容型65nm MirrorBit Eclipse GL 3V产品铺平了道路。MirrorBit Eclipse架构集NOR和NAND两种技术特色于一身，在同一枚裸片上打造出强大的功能。

Spansion消费电子、机顶盒及工业产品事业部执行副总裁Tom Eby表示：“65nm MirrorBit NOR GL产品的推出，表明了我们致力于满足当今客户的需求、并为计划于2009年上市的MirrorBit Eclipse GL产品打下坚实基础的承诺。这一最新发布的产品也体现了我们在以最为领先的的高容量提供突破性技术，满足汽车、网络、存储和游戏等领域的需求方面的长期专注和不断进步。”

NOR GL系列目前提供从32mb至1Gb不等的广泛的单片容量。随着这一最新产品的发布，该产品系列进一步得到了丰富，其中包括简易替换型512Mb和1Gb 65nm MirrorBit器件，这些器件采用Spansion通用管脚设计（始终如一的管脚封装），允许用户在不同容量间无缝移植，而无需改变电路板布局。2002年，Spansion以230nm MirrorBit产品进军这一细分市场，而此次推出的65nm MirrorBit GL产品正是依托了公司在这一领域的悠久历史和领先地位。这种不懈的追求为Spansion稳坐该市场头把交椅奠定了坚实的基础，其市场份额比位居第二的竞争对手高出2.5倍。   

Spansion不断致力于将其MirrorBit技术推进至45nm及以下制程节点。同时，凭借Spansion通用管脚设计，公司持续简化向新技术的移植，例如其65nm 3V MirrorBit Eclipse架构，该架构集多种创新特性和功能于一身。单芯片MirrorBit Eclipse GL系列将提供多种单片容量（从128Mb到最高2Gb），具备业内最快的编程速度（最高达2MB/秒）。

65nm MirrorBit GL系列的技术特性和优点
65nm MirrorBit GL产品的工作电压为3.0伏(Vcc)，随机读取速度为100纳秒(ns)，并通过一个8字页面缓冲区提供25ns的分页读取速度。

最新推出的65nm  MirrorBit GL器件让用户可以直接从闪存执行代码，或者高速映射到DRAM中。该器件支持从-40至+85摄氏度的工业温度范围。基于NOR架构的65nm  MirrorBit GL产品旨在实现高可靠性和较长的使用寿命，同时支持标准并行接口，既简化了系统整合，又降低了系统复杂性和成本。
针对需要高级安全性能的应用领域，该65nm GL NOR器件支持Spansion的先进扇区保护（ASP）技术。ASP技术采用64位密码保护机制，可为敏感的软件算法或参数提供全面、有力且可由设计师自定义的安全保护。利用这项功能，设计师可对存储在器件中任意扇区的代码或数据进行存储、锁定和保护，或为他们的产品分配一个电子序列号（ESN）。该功能有助于防止恶意攻击和病毒，以及避免服务遭受未经授权的使用。

上市时间及封装
Spansion目前正在生产512Mb和1Gb 65nm MirrorBit GL器件。产品以56-pin TSOP和64-ball加固型BGA两种封装供应。  
猜你喜欢
中电网移动|移动中电网|频道导航区