| OmniVision推出了 OmniBSITM 架构，这种新型传感器的设计采用了与传统 CMOS 影像传感器技术截然不同的方法。OmniBSI 采用背面照度 (BSI) 技术，使得 OmniVision 能够在提供更出色影像质量的同时将其像素尺寸降低到0.9微米，这是数字影像技术不断小型化的关键。在其长期铸造和工艺技术合作伙伴台湾积体电路制造股份有限公司 (Taiwan Semiconductor Manufacturing Corporation) 的支持下，OmniVision 开发出了 OmniBSI 架构。 BSI 技术颠倒 CameraChip(TM) 传感器的上下层，因此传感器可以通过原本是传感器底层的硅基来收集光线。这种方法与传统的前面照度 (FSI) 影像传感器不同，在 FSI 影像传感器上，到达感光区的光线在某种程度上被传感器中能将光子转换成电子的金属和介电层所限制。FSI 方法会阻碍光线到达像素或使光线偏离像素，最终降低填充系数，并带来像素之间串扰等其它问题。BSI 颠倒了各层之间的安排，从而使得金属和介电层位于传感器阵列的下方，为光线提供了到达像素最直接的通道。这种新方法优化了光线吸收，使得 OmniVision 能够建立一种超过1.4微米所有性能指标的1.4微米 BSI 像素，甚至超过大多数1.75微米 FSI 像素。 OmniBSI 架构提供了多项超越 FSI 的性能改进，包括每单位区域更强的灵敏度、更高的量子效率以及减少串扰和光响应非均匀性，所有这些改进都能够显着改善影像质量。由于光线直接到达硅基，因此影像传感器的填充系数获得了显着改善，从而可以提供同类最佳的微光敏感度。显着增高的主光线角度能够实现更短的镜头高度，从而可支持更薄的相机模块，这种模块是新一代超薄手机的理想之选。最后，BSI 技术可支持更大的孔径尺寸，从而可实现更低的光圈系数 (f stops)，凭借出众的相机性能推动性能更卓越相机模块的开发。 OmniVision 目前正展示一款8百万像素的 OmniBSI CameraChip 传感器，并预计将在6月底之前开始首批产品的出样。 详情见：http://www.ovt.com 。 |