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Transic推出SiC 20-A,600-V常闭晶体管
2008-05-23 15:00:00 互联网
BitSiC0620开关电源双极晶体管是一款SiC 20-A,600-V常闭晶体管。BJT具有低集射极饱和电压,相比于Si IGBT技术而言,在相同的芯片面积情况下降低了60%的开态功耗。
三极管具有30A的一个最大电流增益和600V的开放式击穿电压,其工作范围在-80° 到250°C。该芯片是Si IGBT的替代方案,可应用于需要低功耗,高开关频率,高的最高结温度的应用。该芯片采用TO-220封装或DCB基片。
详情见:
http://www.transic.com
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