用于宽带和商业无线基础设施市场的GaN-on-Silicon RF功率器件领先的生产商Nitronex公司,开发了一款氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT),28V时可提供45W,用于高PAR(功率峰均比)以及脉冲应用。NPT1004使用具有专利的SIGANTIC NRF1工艺设计,一个DC到4 GHz的宽带高功率密度GaN-on-Si HEMT,采用成本有效的热增强型塑料封装,从而为光热负载功率应用提供一个优化的解决方案。 NPT1004提供5W的平均功率,用于2.5-3.5GHz的WiMAX应用(单载波OFDM 64-QAM,10.3dB峰均值,10MHz信道带宽)以及4.5W平均功率用于3.3-3.5GHz的WiMAX应用(单载波 OFDM 64-QAM,10.3dB峰均值,3.5MHz信道带宽)。 NP1004封装为热度增强型PSOP,样品和应用电路板开始供货。1000片的售价为$29.00,供货期为10周。NPT1004三极管为无铅型,符合RoHS。 详情见:http://www.nitronex.com/whatsnew.html |