Infineon推出900 V Superjunction MOSFET
| Infineon发布900 V superjunction MOSFET，特定应用于高效SMPS（switched-mode power supply），工业和可再生能源应用中。接续了Infineon在电源半导体业界的创新历史，新款节能CoolMOSTM 900 V电源MOSFET系列克服了电源三极管制造的"硅限制"，使用标准TO（Transistor Outline）封装为高压设计提供了一个可选择的方法。CoolMOS 900 V系列具有极低的静态和动态损耗，可以使设计更有效和更具成本收益，可用于LCD TV，太阳能供电系统，PC"silverbox"电源以及照明系统等应用。 Infineon CoolMOS系列电源三极管使用一个新颖的技术从而克服了硅限制，MOSFET半导体电压阻塞能力增加一倍的特性导致了RDS(on)（开态电阻）增加了5倍。在克服硅限制方面，CoolMOS 900 V器件每个封装类型达到业界最低RDS(on)。TO-247封装的开态电阻为0.12欧姆，TO-220封装的开态电阻为0.34欧姆，D-PAK封装的开态电阻为1.2欧姆，比同样封装传统的900 V MOSFET低75%。由于低RDS(on)，新款CoolMOS 900 V器件可以提供34欧姆*转换电荷的FOM，从而可以产生极低传导，驱动和开关损耗，并增加了效率。 CoolMOS 900 V系列器件具有几种工业级标准封装，包括120 mΩ、340 mΩ以及247 mΩ的RDS(on)的TO-247、TO-220、TO-220FP以及D-PAK封装。此外，也有500 mΩ，800 mΩ以及1000 mΩ器件。 340 mΩ器件TO-220, TO-220FP以及TO-247和1200 mΩ D-PAK的样片现可以申请。最优级120 mΩ TO-247封装量大时的价格为US$3.50 (Euro 2.40)。 详情请访问：www.infineon.com.cn |
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