安森美推出12款功率MOSFET器件优化dc-dc转换

这些新的25伏(V)和30 V器件是单和双N沟道MOSFET，提供较低的导通阻抗(RDS(on))，将功率耗散降至最低。这些器件还提供低门电荷和低门电荷比，降低导电和开关损耗。这些结合的性能提升电源子系统能效。

器件
下列4款MOSFET器件采用SOIC-8封装，用于笔记本电脑 。每2,500片的批量预算单价介于0.35到0.53美元之间。

器件 VDS (V) ID (A) 导通阻抗(mΩ) @ 4.5 V 门电荷(典型值)(nc)
NTMS4807N 30 14.8 7.5 24
NTMS4816N 30 11 16 9.2
NTMD4820N 30 8 27 7.7
NTMD4840N 30 7.5 36 5.2

另外的8款MOSFET新器件采用DPAK封装，用于台式电脑和游戏机。每2,500片的批量预算单价介于0.20到0.47美元之间。

器件 VDS (V) ID (A) 导通阻抗(mΩ) @ 4.5V 门电荷(典型值)(nc)
NTD4854N 25 128 3.6 73.6
NTD4855N 25 98 4.3 44
NTD4856N 25 86 4.7 38
NTD4857N 25 78 5.7 32
NTD4858N 25 73 6.2 25.7
NTD4860N 25 65 7.5 21.8
NTD4863N 25 49 9.3 17.8
NTD4865N 25 44 10.9 14.6

所有这些器件都符合RoHS指令，并以无铅封装供货。

详情请访问：http://www.onsemi.com.cn。