| Infineon开始量产全球首款RF开关，其硅晶片采用CMOS工艺制造，可以提供与GaAs工艺制造的RF开关相当的性能，实现了技术上的突破。到目前为止，为达到GaAs开关的性能，基于CMOS的RF开关需要采用专用的价格高很多的蓝宝石晶圆制造 全新系列的第一款CMOS RF开关BGS12A采用细间距WLP封装，尺寸仅仅为0.79mm x 0.54mm，与市面上最小封装的GaAs RF开关相比，可节约60%的电路板尺寸。在很多无线产品如手机、WLAN、WiMAX、GPS导航系统、蓝牙配件或远程无线钥匙等，RF开关典型的用于实现接收和发送数据（Rx/Tx）、频带选择或天线差分应用的交换功能，还可以在全世界漫游。一般来说，典型的移动设备都会安装一个RF开关。然而，一些多频带多模式手机则会安装多达4个RF开关。 新款Infineon RF开关采用独特的RF CMOS工艺制造，结合了具有杰出RF性能的CMOS优点，如地插入损耗，低谐波失真，良好的隔离以及高功率级。CMOS固有的优点包括高集成能力，有成本效率以及优越的静电放电（ESD）强健性。与现有解决方案相比，基于CMOS的RF开关具有最高的集成能力，比GaAs器件更便宜，而且由于电流消耗显著降低，因此具有比PIN二极管更长的电池寿命。Infineon的RF开关都不需要外部DC隔离电容，并且集成了完备的控制逻辑。CMOS兼容的逻辑电平（1.4 V到2.8 V）使得无需使用外部电平转换器。 BGS12A是Infineon新的基于CMOS RF开关系列的第一款产品。它是一个通用单刀双掷（SPDT）RF开关，为功率级高于20 dBm、P -1dB大于30 dBm所设计。新款RF开关具有高RF性能，当频率为1.0 GHz时其插入损耗仅仅0.3 dB，低谐波失真，良好的隔离（1.0 GHz时为34 dB），小于4?s的快速转换时间。接口可以承受1.5 kV HBM ESD，从而提供了移动设备模块制造商的产量并且达到了所需的ESD级别。BGS12A非常适用于高达3 GHz的低和中等功率应用。 BGS12A已经开始量产。 1,000片量时单价为USD 0.70。 详情请访问：www.infineon.com.cn/ |