ST推出小裸片1G/512M 65nm多电平单元NOR闪存
| ST推出采用65nm制造工艺的PR系列NOR闪存产品。基于第四代多电平单元(MLC)技术，65nm PR系列闪存的软硬件兼容现有的90nm PR系列NOR闪存，为客户升级现有系统提供了一条捷径，同时还提高了存储密度和产品性能。 为满足移动应用市场对高分辨相机、多媒体内容和快速联网的需求，新的65nm PR系列闪存的突发读取速度达到133MHz，编程速度达到1.0-MB/s，支持深关断睡眠模式，采用1.8V电源电压。这个先进的NOR闪存系列产品与LPSDRAM、LPDDR-SDRAM、PSRAM和NAND存储器芯片以共享总线或分用总线的配置组装在一起，以多片封闭(MCP)和层叠封装(PoP)解决方案的形式提供给广大用户。 ST 1-Gbit MLC NOR闪存裸片尺寸为50.8mm，具有20.16-Mbit/mm?的高Mbit/mm存储密度。单元尺寸也非常小，仅为0.042m。 65nm PR系列是意法半导体与英特尔于2005年12月宣布的合作计划的一部分，这项目前还在进行的合作计划的目的是为客户提供最新的高性能产品，并提供多货源的采购灵活性。 新产品样片现已上市，拟定于2007年上半年开始量产，256-Mbit、512-Mbit和1-Gbit闪存与PSRAM、LPSDRAM和NAND存储器芯片的堆叠封装产品的预算价格估计在10美元到30美元之间。 详情请访问：www.st.com
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