Vishay提出20V/40V PolarPAK功率MOSFET
| Vishay发布具有双面冷却功能的 PolarPAK 功率 MOSFET 系列中增添了新型 n 信道 20V、30V 及 40V 器件，从而为设计人员提供了通过更出色的 MOSFET 散热性能减小系统尺寸及成本的新方式。 日前宣布推出的这四款新型 Vishay Siliconix PolarPAK 器件面向电信及数据通信系统中的同步整流、负载点转换器及 OR-ing 应用，与市场上仅次于它们的具有双面冷却功能的器件相比，这四款器件的导通电阻低 48%，导通电阻与栅极电荷乘积的性能高 12%。 这些更出色的规范可转变成能够降低终端系统功耗的更低传导及开关损耗。PolarPAK 双面冷却构造提供的双散热通道可在具有强迫通风冷却功能的系统中实现高电流密度，从而可缩小设计尺寸和/或减少并行 MOSFET 的数目。从完全需要并行的意义上讲，PolarPAK 凭借其简洁而直接的外引脚简化了这些设计，可将来自板布局的电感降至最低，从而可提高效率，尤其在更高频率时。 日前推出的这些 PolarPAK 器件具有与标准 SO-8 相同的占位面积，但厚度是它的 1/2，仅为 0.8 毫米。新型 20V SiE810DF与 SiE808DF30-V SiE806DF, 及 40-V SiE812DF的导通电阻范围介于 1.4m?～2.6m?。它们的导通电阻与栅极电荷乘积优值也非常低。30V 与 40V 器件的 FOM 分别为 127.5 及 135.2，几乎与同步整流应用的 FOM 相同，同时对于可使用由 40V 击穿电压器件提供的额外扩展空间的应用而言，可实现更高额定值选择。 对于将开关损耗降至最低比低传导损耗更关键的应用，Vishay 还推出了两款导通电阻略高的 PolarPAK 器件。在 10V 栅极驱动时，30V SiE830DF的额定导通电阻为 4.2m?，40V SiE832DF的额定导通电阻为 5.5m?。 除它们的低功耗及热管理优势外，Vishay Siliconix PolarPAK 功率 MOSFET 还可为制造商提供最大灵活性、可靠性及处理轻松性。当推出新一代芯片时，与该系列中的芯片尺寸无关的固定占位面积与衬垫布局可将重新设计需求降至最低。它们的标准引线框及塑料封装结构提供了更出色的芯片保护。因此，PolarPAK 已快速赢得了成为具有由多个制造商提供的双面冷却功能的首款 MOSFET 封装的声誉。 目前，这些新型 PolarPAK 功率 MOSFET 的样品和量产批量均已提供，大宗订单的供货周期为 8～10 周。 详情请访问：http://www.vishay.com。
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