TI推出最高效率4A高速MOSFET驱动器TPS28225

TI 的 TPS28225 驱动器以 4.5V 至 8.8V 电压控制 MOSFET 栅极，从而实现了高效率和低电磁干扰 (EMI)，在 7V 至 8V 电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225 实现了 14ns 自适应停滞时间控制、14ns 传输延迟时间、2A 大电流电源以及 4A 吸入驱动功能。

电源系统设计人员在采用5V 与 12V 标准驱动器的过程中不断要求实现更高的工作效率与性能。采用 TPS28225 的几家顶级电源客户不仅将功率效率提高了 3% 到 8%，而且还提高了开关频率，减小了模块尺寸，并显著改善了瞬态响应。

针对较低栅极驱动器，驱动器的 0.4 欧姆阻抗可使功率 MOSFET 的栅极低于阈值电平，以确保高 dV/dT 相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用 N 通道 MOSFET。

TPS28225 提供的三态脉宽调制 (PWM) 输入与TI TPS40091等所有多相控制器相兼容。断电模式则能使负载免受反向输出电压的影响。

TPS28225 的关键特性：

推荐采用 7V 至8V 栅极驱动电压，这时优化后的器件能实现最高效率
针对高频率应用的 14ns 极短停滞时间
在每相位电流超过 40 A 的情况下实现业界最高效率
低阻抗吸入（典型值为 0.4 欧姆）与源电流（典型值为 1 欧姆）功能
在同步降压、升压或桥接配置下可驱动 N 通道 MOSFET
可接受宽泛的电压输入信号范围（3 V 至 24 V 范围）
单引脚上支持Space-saving（输入）与Power Good（输出）信号
独特的输入级可与所有业界标准的模拟与数字控制器相兼容
三态输入功能
提供针对窄占空比信号的智能管理功能

价格与供货情况

TPS28225 MOSFET 驱动器现已投入量产，可通过 TI 及其授权分销商订购获得。该器件采用低成本的 8 引脚 SOIC DFN 封装与散热增强型 3 毫米 x 3 毫米 8 引脚 DFN 封装两种封装版本。批量为 1,000 片时的建议零售单价为 0.60 美元。

详情请访问：www.ti.com.cn