Vishay新型光耦TRIAC提供高于5kV/μs的dV/dt
11月18日讯，Vishay公司发布新系列光耦三端可控硅器件(TRIAC)VO4157和VO4158，具有低于其他供应商的1.6mA触发特性，其静态dv/dt高于5 kV/μs。新器件以6引脚DIP封装，新的零交叉（ZC）与非零交叉(NZC)光耦三端可控硅光电耦合器设计用于工业应用中切换AC负载及驱动大的SCR或TRIAC。 新型ZC VO4157 与 VO4158系列光耦三端可控硅器件(TRIAC)，由一个GaAs红外线LED构成，此LED光学耦合到一个光敏感ZC TRIAC探测器芯片。这个设计类型有助于减少EMI噪音调谐，并具有较低的峰值工作电流，这使其非常适合对噪音敏感的电路应用。另一方面，VO4257 与 VO4258 系列的NZC 光耦三端可控硅器件，具有在 AC相位周期的任意时间内实现触发并在下一个零交叉关闭触发的优点。这使NZC器件成为多相调制应用的理想选择。两个系列均具有1.6mA的极低触发电流，使其可以直接与微控制器及数字电路接口。同样也可提供2.0mA 及3.0 A的触发电流。所有三种型号都能提供700V或800V的阻隔电压，并可提供低电压逻辑绝缘，从而使120V、240V与 380V AC火线用来控制电阻、电感与电容性负载。 以下表格总结了VO415x与VO425x 光耦三端可控硅光电耦合器系列的12种型号的特性。
新型 VO4157/8 与 VO4257/8 光耦三端可控硅器件(TRIAC)的样品已经提供，批量生产的供货期为6到8周。 下图为产品外形图.详情请上网:www.vishay.com | |
11月18日讯，Vishay公司发布新系列光耦三端可控硅器件(TRIAC)VO4157和VO4158，具有低于其他供应商的1.6mA触发特性，其静态dv/dt高于5 kV/μs。新器件以6引脚DIP封装，新的零交叉（ZC）与非零交叉(NZC)光耦三端可控硅光电耦合器设计用于工业应用中切换AC负载及驱动大的SCR或TRIAC。 新型ZC VO4157 与 VO4158系列光耦三端可控硅器件(TRIAC)，由一个GaAs红外线LED构成，此LED光学耦合到一个光敏感ZC TRIAC探测器芯片。这个设计类型有助于减少EMI噪音调谐，并具有较低的峰值工作电流，这使其非常适合对噪音敏感的电路应用。另一方面，VO4257 与 VO4258 系列的NZC 光耦三端可控硅器件，具有在 AC相位周期的任意时间内实现触发并在下一个零交叉关闭触发的优点。这使NZC器件成为多相调制应用的理想选择。两个系列均具有1.6mA的极低触发电流，使其可以直接与微控制器及数字电路接口。同样也可提供2.0mA 及3.0 A的触发电流。所有三种型号都能提供700V或800V的阻隔电压，并可提供低电压逻辑绝缘，从而使120V、240V与 380V AC火线用来控制电阻、电感与电容性负载。 以下表格总结了VO415x与VO425x 光耦三端可控硅光电耦合器系列的12种型号的特性。
新型 VO4157/8 与 VO4257/8 光耦三端可控硅器件(TRIAC)的样品已经提供，批量生产的供货期为6到8周。 下图为产品外形图.详情请上网:www.vishay.com | |
