Samsung推出70nm的512Mb DDR2存储器
| 10月13日讯, Samsung Electronics公司推出采用70nm工艺制造的业界首个512Mb DDR2 SDRAM存储器,应用到DRAM器件中最小工艺技术. 新的70nm保持了Samsung用在现今大多数DRAM生产所用的80nm和90nm工艺的连续性.但是,每个晶圆的芯片数量至少要比90nm技术的要增加100%.  用于DRAM的70nm工艺技术所采用的几种技术创新包括Samsung的金属-绝缘体-金属(MIM)电容技术以及称作球形凹沟阵列晶体管(S-RACT)的3D晶体管架构.这些技术分别在2004年和2005年VLSI研究会演示过,已用来克服堆栈DRAM单元的限制,大大地改善了数据刷新功能,特别是70nm 512Mb DRAM. Samsung继续采用70nm工艺在2006年下半年生产512Mb,1Gb 和2Gb的容量. 市场研究公司Gartner Dataquest在2005年五月的报告指出,今年的DRAM市场将会达到$262亿,在2008年将会增加到$291亿.此外,下一代的游戏控制台,大多数新的3G手机,以及Microsoft的新PC操作软件程序”Vista”将使推动这一市场的几个主要因素. 下图为产品外形图.详情请上网:www.sumsangsemi.com |
