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MT29F8G08FABWP:8Gb NAND闪存

8月24日讯,Micron公司推出8Gb和4Gb闪存存储器器件,8Gb的型号为MT29F8G08FABWP,4Gb的型号为MT29F4G08BABWP和MT29F4G16BABWP.这三种产品具有大容量的NAND闪存,用于移动设备市场.大容量的8Gb和4Gb NAND器件采用3.3V电源,封装为标准的48引脚TSOP封装,很容易集成在大多数现有的设计中.

Micron公司的8Gb (MT29F8G08FABWP)和4Gb (MT29F4G08BABWP和 MT29F4G16BABWP) NAND目前可以批量出货,支持快速增长的MP3,USB驱动和闪存卡的越来越多的用户需求.8Gb NAND器件是1Gbx8配置,4Gb NAND器件可提供512Mbx8和256Mbx16两种配置.

8Gb (MT29F8G08FABWP)NAND的主要性能归纳如下:

  • 容量8Gb,
  • 深度1Gb,宽度x8,
  • 工作电压3.3V,
  • 封装类型:无铅,
  • 封装:48引脚TSSOP,
  • 温度范围:0度到70度C.

    4Gb (MT29F4G08BABWP)NAND的主要性能归纳如下:

  • 容量4Gb,
  • 深度512Mb,宽度x8,
  • 工作电压3.3V,
  • 封装类型:无铅,
  • 封装:48引脚TSSOP,
  • 温度范围:0度到70度C.

    下图为产品外形图.详情请上网:www.micron.com

    • 8月24日讯,Micron公司推出8Gb和4Gb闪存存储器器件,8Gb的型号为MT29F8G08FABWP,4Gb的型号为MT29F4G08BABWP和MT29F4G16BABWP.这三种产品具有大容量的NAND闪存,用于移动设备市场.大容量的8Gb和4Gb NAND器件采用3.3V电源,封装为标准的48引脚TSOP封装,很容易集成在大多数现有的设计中.

    Micron公司的8Gb (MT29F8G08FABWP)和4Gb (MT29F4G08BABWP和 MT29F4G16BABWP) NAND目前可以批量出货,支持快速增长的MP3,USB驱动和闪存卡的越来越多的用户需求.8Gb NAND器件是1Gbx8配置,4Gb NAND器件可提供512Mbx8和256Mbx16两种配置.

    8Gb (MT29F8G08FABWP)NAND的主要性能归纳如下:

  • 容量8Gb,
  • 深度1Gb,宽度x8,
  • 工作电压3.3V,
  • 封装类型:无铅,
  • 封装:48引脚TSSOP,
  • 温度范围:0度到70度C.

    4Gb (MT29F4G08BABWP)NAND的主要性能归纳如下:

  • 容量4Gb,
  • 深度512Mb,宽度x8,
  • 工作电压3.3V,
  • 封装类型:无铅,
  • 封装:48引脚TSSOP,
  • 温度范围:0度到70度C.

    下图为产品外形图.详情请上网:www.micron.com
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