EDX5116ABSE:3.2GHz 512Mb XDR DRA
| 3月30日讯,Elpida Memory公司推出工作在3.2GHz的512Mb XDR DRAM存储器EDX5116ABSE,在单一器件内提供一流的数据传输速率6.4GBps.它可用在数字消费类电子设备.XDR DRAM架构为下一代存储器的应用如数字电视和家庭服务器提供了最高的性能,这些应用需要高带宽来支持高端图像,极好的数字图像和先进的多媒体.XDR DRAM是基于Rambus 公司开发的XDR存储器接口技术. 512Mb XDR DRAM 存储器EDX5116ABSE的结构是4M字x16位x8组,工作速度有2.4GHz,3.2GHz和4.0GHz几种,比PC应用的最新DDR2标准存储器的峰值带宽要多4倍.新器件采用Elpida的0.10um工艺技术制造,是104引脚FBGA封装. 为了支持高速和功能强大的数据传输,器件采用Rambus特别的特性如差分Rambus信号电平(DRSL)接口,它能最小化信号摆幅和噪音,八倍数据速率(ODR)能在每周期时钟传输8位,即使采用通常的400MHz时钟也可获得3.2GHz的工作速率.512Mb XDR器件还有可编程的片内终端,自适应阻抗匹配,动态请求调度和零动态备用区刷新等特性. 现在可提供512Mb XDR DRAM 存储器EDX5116ABSE样品.批量生产将在2005年下半年.下图为产品外形图.详情请上网:www.elpida.com |
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