CMOS-12M:主流结构ASIC系列
| 3月7日讯,NEC电子(欧洲)GmbH推出采用150nm CMOS工艺的主流结构ASIC系列CMOS-12M.CMOS-12M系列有多达200万可用ASIC门,2.6Mb超高速嵌入存储器和系统性能高达200MHz,非常适合用户降低它们的周转时间和开发成本. 1.5V CMOS 12M系列采用NEC电字子验证过的150nm CMOS工艺技术,系统时钟200MHz,和0.25um器件相比,改善性能50%,降低功耗大约一半.这10种新的主薄片有预扩散双端口存储器区块和模拟锁相环(PLL)嵌入在高密度的结构逻辑阵列.数字锁定延迟环路(DLL)区块遍布较大的主薄片.I/O口支持几种标准,包括LVTTL, PCITM, PCI-XTM, GTL+, LVCMOS2.5, SSTL3, SSTL2, HSTL, LVDS, LVPECL (输入).CMOS-12M能和多达4个电源相连接,支持核和输入/输出电压的要求. CMOS-12M结构ASIC系列提供小到中等范围的主薄片,从125K到200K可用ASIC门和98Kb到2.6Mb嵌入存储器,很适合用在1K到500K中等数量的对成本敏感的地方.可提供各种低成本的封装,包括有QFP,FPBGA,PBGA和ABGA,引脚数量低到100引脚的QFP和108引脚的FPBGA. CMOS-12M系列补足了NEC电子的即时硅解决方案平台(ISSP)结构ASIC,它包括了用于高端的有更多引脚数需要支持IP的150nm ISSP1系列和前沿的90nm ISSP90?系列.它的主要性能指标见下表:
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