Infineon推出业界最小闪存存储器单元
| 12月16日讯,Infineon公司的科学家推出业界最小的非易式闪存存储器单元.这种新的存储器单元的尺寸仅为20纳米(nm),比人的头发丝要薄大约5000倍.所有和制造工艺有关的问题,包括光刻技术都已解决,新的技术将使在几年内能开发出32Gb容量的非易式存储器芯片成为可能.这将是目前市场上芯片容量的八倍. 非易式闪存存储器在数码相机,摄像机和USB盘的海量存储媒体中正变得越来越受欢迎.当今最先进的非易式闪存存储器,每存储单元不需要点源能永久存储一位或两位信息.这样的存储器的特征尺寸大约为90nm,采用典型的技术能把它缩短一半,但是已经处现了许多和纳米尺寸有关的物理问题.特别是,20nm大小的闪存存储器单元几乎是不可能的,因为这些物理效应将会使存储器单元变得极不可靠. Infineon的研究人员由于采用了独特的带鳍的三维结构作为存储器心脏的晶体管而克服了这些难题.特殊的形状最小化不必要的效应,和当今的平板式晶体管相比,大大地改善了静电控制.这种晶体管称作鳍状场效应晶体管(FinFET), Infineon的器件能存储在该氮化物层携带信息的电子,该氮化物层是处于硅鳍和栅电极间的电绝缘层.鳍的厚度仅为8nm,由20nm宽的栅极来控制. FinFET是极为经久耐用,具有极好的电特性.例如,为了可靠地记住一个比特,当今市场上最先进的存储器需要大约1000个电子.新的Infineon存储器单元则仅需要100个电子,另外的100个电子在同样晶体管中存储第二比特.作为比较,100个电子大约相当于单个金原子的电子数量.不管这些最少电荷量,Infineon在Munich的实验室的样品证明有极好的电性能. 下图为FinFET的结构图.详情请上网:www.infineon.com |
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