R1FV04G13R/14R:4Gb AG-AND闪存
| 9月27日讯,Renesas公司推出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND型闪存存储器，可以提供世界上最快的10MBps编程速度，用于电影和类似应用中的大容量数据的高速记录。2004年9月，将从日本提供样品，随后在12月将开始批量生产.单价为12000日元. R1FV04G13R和R1FV04G14R分别具有 8和 16位配置，可以提供下面的主要性能. (1) 世界上最快的4千兆位闪存存储器（芯片） 作为实现了多级单元技术和高速度的第二阶段AG-AND型闪存存储器，R1FV04G13R和R1FV04G14R即使在4千兆位容量下，也能达到10 M字节/秒的快速编程速度。复制一个2小时的MPEG-4格式的电影，大约需要2分钟就可以完成录制. (2) 小型芯片尺寸 由于使用90 nm工艺和改进的AG-AND闪存存储器单元设计，实现了世界上最小的存储单元。与1千兆位AG-AND型闪存存储器相比，每千兆位的芯片面积大约缩小了三分之二. 这些新产品的发布使得电影和音乐等大容量内容的快速下载和传送成为可能。相应地，其应用领域也从过去仅局限于数码相机和个人计算机，现在可以扩展到移动终端和数字家用设备，扩大了使用闪存存储器作为存储介质的系统解决方案的应用范围. 使用R1FV04G13R和R1FV04G14R，可以在单个芯片上配置512M字节的记录介质，提供的存储能力大约相当于160分钟的MPEG-4电影数据，大约等同于130个磁道的MP3音乐数据，或大约500张4兆象素的数码相机相片.R1FV04G13R和 R1FV04G14R的特性总结如下: 世界上编程速度最快的4千兆位闪存存储器（芯片），速度高达10 M字节/秒. 和1千兆位产品一样，使用热电子注入编程方法和在单个芯片内同时进行4组编程操作，通过使用多级单元技术，实现了高达10 M字节/秒的编程速度. 小型芯片尺寸.通过使用90 nm工艺和改进的第一代AG-AND型闪存存储器源－漏结构，实现了世界上最小的0.016 μm2存储单元面积. 与1千兆位 AG-AND型闪存存储器相比，每千兆位芯片面积大约缩小了三分之二. 支持加电读出功能（2K字节大小）.系统加电时，不需要命令或地址输入，通过控制两个控制线（/CE 针和/RE针）就可以读出多达2K字节的数据. 在编程操作过程中具有高速缓冲存储器编程功能，在擦除操作过程中，具有可编程数据输入功能. 在器件编程过程中，可以对下一步2 K字节的数据进行高速缓冲存储器编程的功能，最多可以进行两次（4 K字节）。这使得系统可以很容易地分配总线进行下一个任务. NAND接口. 在命令级，R1FV04G13R和R1FV04G14R与NAND型闪存存储器兼容，因此，对目前使用NAND型闪存存储器的系统进行很少的软件修改，就可以使用它们. 器件的电源电压是3.3 V，使用的封装形式是48针TSOP 1型封装，与1千兆位AG-AND型闪存存储器的封装尺寸相同.下图为产品外形图.详情请上网:http://www.hk.renesas.com |
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