NAND256W3A/R3A:256Mb NAND闪存
| 7月15日讯,ST公司推出256Mb NAND闪存NAND256W3A(3V)和NAND256R3A (1.8V)以及128Mb NAND 闪存NAND128W3A(3V)和NAND128R3A(1.8V),提供超快速数据吞吐量和擦除功能以及低功耗编程和低电压工作,满足手机,PDA和其它手提设备的需要.它们采用先进的120nm技术开发和小尺寸存储器单元保证了大容量存储器的成本最小化,用在对价格敏感的产品如包括闪存卡和USB存储棒在内的消费类低容量存储媒体. 所有系列存储器的地址线和数据输入/输出信号复接在8位总线,降低了引脚数量和能使用模块化NAND接口,使得系统在不改变占位面积时能进行修改,以采用更高容量或更低容量的器件. 新器件能提供高性价比的大容量存储器,用在手提消费类电子产品如手机,数码相机,PDA,GPS导航系统,随意使用的低容量闪存卡,消费类USB驱动器和视频游戏可拆卸存储器. ST公司提供采用新存储器快速开发产品的软件工具链,包括有误差修正代码(ECC)软件; 认识和替代区块的错误区块管理(BBM),这种管理能把不能擦除或编程的区块复制该区块的数据到有效的区块; 磨损水平算法以优化器件的老化程度,这种优化是通过在所有区块中分配擦除和程序操作来进行;文件系统操作系统(OS)本土参考软件以及硬件仿真模型. 存储器分成1024(NAND128)或2048(NAND256)的16KB区块,其中的每一个分成每页512B加备用16B,由每页来读和编程. 备用的字节(B)用作误差修正代码,软件标识或错误区块识别.复制程序代码使存储在一页的数据能直接编程到另外一页而不需要外部的缓冲.这种特性在缺陷区块中进行页编程操作时能用来迁移数据.还提供区块擦除指令,区块擦除时间2ms.每个区块能进行10万次编程和擦除,数据保存时间10年. 器件的选项包括用来从NAND存储器中引导的"加电后自动0页读"和"简化微控制器接口的"片使能不管",使NAND闪存和其它类型存储器如NOR闪存和SRAM更有效地一起使用.,这种存储器常用在代码和工作存储器更快的设备,而更低成本和更大容量的NAND存储器用来存储器大文件.单独的器件ID在工厂编程,用户可编程串行码支持目标应用的越来越增加的安全性. 现在可提供NAND128W3A 和NAND256W3A (3V)以及NAND128R3A和NAND256R3A (1.8V)的样品.它们的封装是TSOP48或8x10mm VFBGA55封装.100K量的单价,256Mb的产品为$5.80,128Mb的产品为$4.20. 下图为产品外形图.详情请上网:www.st.com |
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