superSRAM:没有软错误的低功耗SRAM
| 6月17日讯, 瑞萨科技(Renesas Technology)公司推出一种新型的业界第一个实际上没有软错误的低功耗SRAM,称作superSRAM. 由于采用新的单元类型和DRAM电容器技术，与瑞萨科技先前的产品相比，软错误率大约减少了4位数，同时大大减小了元件尺寸、降低了功耗。这种新型SRAM将投入商业性生产，并用于移动应用中的16M位小功率SRAM。 普通SRAM单元包括6个晶体管：2个CMOS类型的装载MOS晶体管，2个存取MOS晶体管、2个驱动器MOS晶体管。在新型superSRAM中，用2个位于存取MOS/驱动器MOS晶体管上的薄膜晶体管(TFT)，代替了2个装载MOS晶体管，2个圆柱电容位于节点的顶部。这种设计，使在0.15 μm工艺SRAM中实现了业界最小的0.98 μm2存储单元尺寸。已经使用90 nm工艺节点，实现了亚平方微米单元尺寸。与瑞萨科技常规的0.15 μm工艺的CMOS类型SRAM相比，单元尺寸减小了一半多。通过在存储节点使用DRAM圆柱电容器，使得电容比普通CMOS类型RAM的电容提高了，而且提供一种不会产生软错误的结构，可以提供可靠性更高的存储器件。 这种superSRAM技术和产品的主要性能如下: 很高的软错误容错性.与瑞萨科技先前的0.13 μm工艺16M位小功率SRAM（没有ECC电路）相比，软错误率大约减小了4个数位，这是通过在每个存储单元的存储节点上使用DRAM单元中使用的那种圆柱电容器来实现的。α射线辐射实验证实，这种产品首次实现了SRAM中没有由软错误引起的位错误。软错误容错率问题这一常规 SRAM存在的基本问题，已经得到解决，可以实现更高可靠性、更高密度的SRAM。" 在业界0.15 μm工艺SRAM产品中，它具有最小的存储器元件尺寸。通过将使用TFT的SRAM单元与DRAM电容器组合起来，开发出的新型单元,具有最小的存储器元件尺寸：0.98 μm2。其单元尺寸，比瑞萨科技目前的基于CMOS 0.15 μm工艺的SRAM小一半多。它可以大大减小芯片尺寸、使移动设备更小巧。数据保持电流可以达到小于1 μA。与使用DRAM存储单元的假SRAM不同，新型SRAM单元不需要刷新操作。与假SRAM相比，数据保持电流大约提高了2位数，用于更低功耗的移动应用。 在业界0.15 μm工艺SRAM产品中，它具有最小的存储器元件尺寸。通过将使用TFT的SRAM单元与DRAM电容器组合起来，开发出的新型单元,具有最小的存储器元件尺寸：0.98 μm2。其单元尺寸，比瑞萨科技目前的基于CMOS 0.15 μm工艺的SRAM小一半多。它可以大大减小芯片尺寸、使移动设备更小巧。数据保持电流可以达到小于1 μA。与使用DRAM存储单元的假SRAM不同，新型SRAM单元不需要刷新操作。与假SRAM相比，数据保持电流大约提高了2位数，用于更低功耗的移动应用。 新开发的superSRAM技术，从根本上解决了与更精细SRAM工艺有关的软错误问题。可以实现可靠性更高的大容量SRAM。在16M类型之后，我们计划在本财政年度进行32M位superSRAM的商用开发。下面是该技术的图片.详情请上网: http://www.hk.renesas.com或http://www.renesas.com/eng/news/ |
 |
