| 4四月12日讯,东芝美国电子器件公司(Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC))推出业界最大容量的低等待的512Mb DRAM TC59LM906AMG系列和TC59LM905AMG系列.这种快速周期RAM(FCRAM)的随机周期时间最低达到22.5ns,这是FCRAM1所能达到的最快的时间.这些新器件具有双倍的容量,最高的数据传输速率从400Mbps提高到533Mbps,支持高性能的网络应用,包括网络系统的交换和路由器. 东芝的网络FCRAM采用增强的DRAM技术来得到大的存储器容量和随机存取时间.有效的存储器面积的缩小使功耗降低,而随机存取时间比现有的DRAM要低两倍. 东芝目前制造网络FCRAM1和FCRAM2,容量分别是256Mb和288Mb.512Mb网络FCRAM1扩展了该产品的容量,东芝的FCRAM2有576Mb的容量,支持用来误差修正的奇偶位,计划在2005年提供.东芝的网络FCRAM?指标和Samsung的Network-DRAM?完全兼容. 现在可提供新存储器样品.批量生产将在2004年第三季度.下表为512Mb FCRAM1的系列产品:
新产品的主要特性: 1. 512Mb容量的快速随机周期时间22.5ns,266MHz时钟的数据传输速率为533Mbps, 2. 能向下和256Mb容量的网络FCRAM1兼容, 3. 提升了有8组结构的性能,能和4组结构的兼容, 4. 可变的数据写入长度控制,一个时钟的总线转换时间, 5. 写/读数据锁存(双向DQS)和DDR1 SDRAM兼容,TC59LM906AMG还提供和DDR2 SDRAM兼容的双向差分DQS, 6. 支持三种接口: SSTL_2, SSTL_18 和HTSL, SSTL_2和256Mb网络FCRAM1和DDT1蔼SDRAM兼容, SSTL_18 和DDR2 SDRAM兼容.HTSL用在HSSRAM,这种接口使得容易从HSSRAM升级到FCRAM. 7. 60引脚mBGA封装(16.5x12.7mm,1.0x1.0mm引脚间隔), 8. 由内部模式寄存器可编驱动器强度. SSTL_2接口产品需要3步, SSTL_18 接口产品需要4步. 详情请上网:www.toshiba.com/taec | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||