S29GL512N:512Mb NOR闪存
| 9月10日讯,AMD和Fujitsu的合资公司FASL LLC推出业界首个512Mb NOR 闪存器件Spansion? S29GL512N,它是采用130/110nm第二代每单元2位的MirrorBit技术生产的产品.这种单芯片最高容量的产品能支持嵌入式和无线应用.现在可提供工程样品. S29GL512N产品用来克服用户最重要的技术难题和商业上的挑战.该产品将会使无线手持产品和汽车电子产品以及其它产品有更新换代的突破.首先是它的价格上有竞争力的结构,它采用MirrorBit技术,能大大地减小存储器芯片的尺寸以及制造芯片步骤,它比多单元结构(MLC)有更大的优点.130/110nm技术的Spansion闪存结构能等价或优于90nm MLC解决方案或65nm浮置栅闪存技术. Spansion S29GL512N器件能使设计者创造容量大而性价比好的存储器阵列而不会有在这种容量下其它解决方案所拥有的缺点.和其它同类产品采用NAND结构不同, Spansion S29GL512N提供一种熟悉的容易使用的存储器映射接口,能简化系统设计和加快产品走向市场. S29GL512N器件,包括有多种扇区保护和安全性,统称先进的扇区保护(ASP),满足网络安全日益增长的需要.ASP全套解决方案能使设计者创造一个"虚拟堡垒"来对抗非法的接入如克隆, 剽窃和系统信号欺诈. S29GL512N 5412Mb解决方案是一个系列:有512Mb,256Mb和128MB.512Mb器件首先用130nm第二代MirrorBit技术生产,并计划用110nm技术来缩小面积.256Mb和128Mb器件则计划采用110nm技术生产. Spansion S29GL512N给设计者和制造商提供完整的降低成本和容量升级通路. 该系列产品的存取时间S29GL512N为90ns, S29GL128N和S29GL256N为80ns.有8字/16字节页阅读缓冲器,16字/32字节写缓冲器,页阅读时间为25,6us写缓冲器字编程时间和具有低功耗模式,3V 5MHz擦除/编程电流为50mA,待机电流为1uA. S29GL512N所支持的开发工具有: 现在可提供S29GL512N的工程样品,256Mb的S29GL256N和128Mb的S29GL128N计划在2004年中提供样品.10K量的S29GL512N单价为$27.50.下图为产品外形图.详情请上网:www.amd.com |
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