MB82DBR08163:128Mb移动FCRAM
| 8月25日讯,富士通美国微电子公司(Fujitsu Microelectronics America, Inc)推出新的128Mb移动快速周期RAM(FCRAM) MB82DBR08163. 新的MB82DBR08163在读和写模式采用突发模式,和通常移动RAM的标准(COSMORAM)相兼容. 这种高密度低功耗FCRAM使假静态RAM,在FCRAM核中有SRAM接口.它设计用于第三代移动手机,能提供内置数码照相机,视频数据流和其它多媒体服务.新的FCRAM满足3G设备要扩展存储器的要求以及手机所需要的高速数据速率. 和Fujitsu早期的32Mb和64Mb突发FCRAM器件一样,新的128Mb也提供突发模式操作,和闪存的突发读操作兼容.连续的读操作和系统时钟同步.移动的FCRAM也能进行突发写操作.器件在加电后,最初是页模式操作,用户能配置成突发模式.工作在66MHz时,最大的页模式存取时间20ns,突发模式的存取时间为12ns.除了读和写存取时间的改进,新的FCRAM提供真正的连续突发操作而没有等待周期. MB82DBR08163的其它的性能为,I/O配置为x16,Vcc=2.6V-3.1V,I/O电压为1.65V-1.95V,有各种降功耗模式:全阵列,1/4阵列或1/8阵列.突发频率为75MHz.VDD工作电流为35mA,待机电流为200uA,而VDD关断电流为10uA. MB82DBR08163移动FCRAM是71引脚FBGA封装,1K量的单价为$18.0.下图为产品外形图.详情请上网:www.fujitsumicro.com |
