| 8月26日讯,Infineon公司推出1Gb DDR SDRAM HYB25D1G800AE-7,该器件采用先进的110nm CMOS工艺制造,芯片面积仅为160mm2,是业界最小的1Gb DDR SDRAM芯片.新的1Gb DRAM的封装是400密尔的66引脚TSOP或在空间受到严格限制应用的68针FBGA封装.所支持的结构有x4,x8和x16.1Gb 双数据速率(DDR)覆盖了从DDR266到DDR400整个受欢迎的DDR速率,其工作时钟分别是133MHz到200MHz. 为了在每个模块得到最高的存储器密度,Infineon公司采用FBGA封装的堆栈型来生产4GB注册模块.这种技术称作"双芯片堆栈",第二个硅芯片在第一个芯片之上,把芯片堆栈在规则的虽然较高的精细间隔的球栅阵列封装.这种创新的堆栈方式允许Infineon不仅能得到空前的存储器密度.,而且能对由此得到的存储器提供优越的电性能和热性能.作为一种选择,4GB注册DIMM也可用基于TSOP封装的堆栈型来提供. 1Gb DDR SDRAM主要用来提供高密度注册和无缓冲器的模块,用于高端服务器和工作站市场.其目标产品是注册的4GB和2GB密度双插线的存储器模块(DIMM)以及无缓冲的2GB密度 DIMM.用于笔记本电脑的小出脚DIMM(SO-DIMM) 将会采用新一代存储器提供2GB和1GB密度.所有产品在2003年第四季度提供样品,批量生产将在2004年初. 下图为产品外形图.详情请上网:www.infineon.com |