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FDJ129P:SC75 FLMP封装的低压MOSFET

7月24日讯,Fairchild半导体公司推出一种新型P-MOSFET,具有性能和节省空间的组合性能,能用在手机,PDA,手提音乐设备,GPS接收器,低压/小功率DC/DC转换器和数码相机中的功率管理。FDJ129P是采用Fairchild的高性能PowerTrench技术的SC75FLMP封装(倒装引线塑注封装),和同样性能的SSOT-6或TSOP-6封装相比,板面积降低了60%。FDJ129P的耗散功率为1.8W,最大稳态电流4.2A,是同类竞争SC75封装产品的12倍。

此外,FDJ129P由于其低损耗开关降低了系统功率损失,最大的脉冲电流为16A。FLMP封装还提供了PCB和MOSFET芯片间的低热阻通路。同时,该封装不需要通常的导线键合,因而有极低的电阻。低电组和低热阻的组合大大地增加了功率管理应用中的性能。

FDJ129P封装的最大高度为0.8mm,使它能用在RF屏蔽和子装配以及显示器内部,使产品变得更薄和更小尺寸。除了封装上的特点,新器件的导通电阻极低,VGS = -4.5V时为70毫欧姆,VGS = -2.5V时为120毫欧姆,栅极电荷也很低,VGS ± 12V时Qq小于6nC。1K量的单价为$0.33。下图为产品外形图。详情请上网:www.fairchildsemi.com
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