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TPC8A01:功率MOSFET/肖特基二极管

6月2日讯,东芝美国电子元件公司(Toshiba America Electronic Components)推出一种把功率MOSFET和肖特基阻塞二极管集成在单一裸芯片上,创新了一种称作MOSBD新器件。

东芝的第一个MOSBD,型号为TPC8A01,是双通路器件,组合了两个MOSFET和一个肖特基阻塞二极管。因此,把在DC/DC转换器中同步整流所用的三种器件集成在一个封装内,容易在PCB上安装,节省了更大的板空间。器件很适合用在笔记本电脑,PDA,LCD和硬盘驱动器(HDD)中马达驱动器的DC/DC转换器。

新的MOSBD,由于消除了MOSFET和二极管间的外部连线,大大地降低了连线的电阻和电感。新器件也由于采用东芝的UMOS III工艺,能进一步改善性能。TPC8A01 MOSBD的占位面积为30 mm2,厚度为1.6 mm,封装为工业标准的SOP-8。下表为它的技术性能。

现在可提供TPC8A01 MOSBD,样品数量的价格为$0.40。详情请上网:http://www.toshiba.com/taec

型号 额定值 RDS (on) (mΩ)
@VGS = 4.5V
Qg (nC)@VDD = 24V, VGS = 10V VDSF (V)@ VGS =0V 封装
TPC8A01 高边 (MOSFET)
VDSS (V) ID (A) Typ Max Typ. Max. SOP-8
低边 (MOSBD)
30 6 23 30 17 -1.2
30 8.5 16 21 49 -0.6


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