FDS7066SN:30V 19A N-MOSFET
| 4月24日讯，Fairchild半导体公司推出一种新系列MOSFET FDS7066SN，它采用Fairchild的倒装引线模块封装(FLMP(Flip Leaded Molded Package))和SyncFET硅技术，大大地改善了同步DC/DC降压转换器的性能和整个系统的成本。它集成了肖特基二极管，在单一封装内提供和独立封装的MOOSFET相同的功能(处理大功能和电流)以及肖特基整流器。这种集成降低了50%的空间，节约了成本和制造时间。采用Fairchild的高效率FLMP SO-8封装和SyncFET技术，性能得到从未有过的改善。30V 19A的N-MOSFET的热效率高(结到外壳的热阻为0.5度C/瓦)，导通电阻很低(10Vgs时为4.5毫欧姆)，很适合用在同步DC/DC转换器的低边开关。 |
| 采用Fairchild的专利技术，SyncFET单片电路解决方案集成了钛肖特基二极管和PowerTrench MOSFET，使肖特基二极管和MOSFET的性能匹配，满足MOSFET的要求，防止MOSFET体内二极管的导通。这就大大地改善了反向恢复栅电荷(QRR)和反向恢复时间(trr)特性，FDS7066SN3的QRR 为28 nC，trr 为 26.6 ns (两者在IF = 19 A, di/dt = 300 A/μs)。降低了反向恢复时间，增加了DC/DC转换器的总体工作效率。此外，用同样的导通电阻的SyncFET MOSFET能使效率向上提高5%。 |
| Fairchild的FLMP封装，在标准的SO-8封装出脚中，它的热阻和导通电阻都比比更大的TO-263封装要小。FDS7066SN3的结到外壳的热阻为0.5度C/瓦，而标准的SO-8的热阻则为25度C/瓦。这也改善了热特性：标准的SO-8承受2.5W，而FLMP则为3W。和SyncFET技术一起，FLMP封装能使产品发热量降低，从而增叫了系统可靠性。 |
| FDS7066SN3是Fairchild用于DC/DC转换如PWM控制器，光耦合器和桥式整流器的其它解决方案的一种补充。现在可提供产品。1K量的单价为$2.14。下图为产品外形图。详情请上网：www.fairchildsemi.com |
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