IRF6607:下一代MCU用2MHz30AMOSFET
| 11月14日讯，国际整流器公司(IR)推出DirectFET MOSFET IRF6607，专门设计用在高频同步降压转换器中。采用一对IRF6607 DirectFET MOSFET的降压转换器，每相能提供高达30A的电流，工作频率2MHz，效率77%，其输出电流是业界最好的SO-8封装MOSFET的两倍。这种高频降压转换器给用在笔记本电脑，高端台式PC和服务器的千兆赫 Intel和AMD微处理器供电。下一代微处理器工作电压接近1V，频率越来越高。电流要求也迅速增加，快速瞬态响应的需求也在增加，从1999年的20A/us增加到325A/us，明年预计增加到400A/us。为了满足这些要求和减小所要求的大电容，降压转换器必须要工作在1-2MHz的频率范围。 30V IRF607封在两边冷却的SO-8 SMT封装，在导通和开关损耗都有重大的改进，它的2.7耗欧姆超低导通电阻在SO-8封装中是最小的。它的低栅极电荷和栅-漏电荷以及比SO-8封装MOSFET低70%的封装电感，使它在兆赫频率范围有低的开关损耗。 DirectFET封装的高热导性能很快把热量散出去。采用热沉从封装的顶部把热散走，降低了每个MOSFET周围的面积，缩小电路尺寸，降低PCB的寄生电感，从而消除不必要的开关损耗。DirectFET器件有低功耗和高热导性，使得在2MHz每相30A的电流，仅需要两个DirectFET MOSFET。 | ||||||||||||||
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| 下表为IRF6607的主要性能。 | ||||||||||||||
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| 现在可提供IRF6608器件。上图为产品外形。10K量的价格为$1.69.详情请上网：www.irf.com | ||||||||||||||
2002.11.26 |
