9月12日讯，IR公司推出两个N-MOSFET和两个萧特基二极管封在一个SO-14封装的器件IRF7335D1，在今天的双MOSFET-萧特基共封装中，电流处理能力最大；和IR公司以前的产品IRF7901D1相比，电流能力提高40%；和分立器件相比，节省60%的空间。
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IRF7335D1输入是标准的12V，有5V，3.3V 和1.7V输出电压的同步充跳转换器能传输达11A的电流，用在笔记本电脑和台式计算机，游戏控制台和互联网设备。共封装结构简化了版图设计，降低了封装和装配成本，增加功率密度，简化采购备料。
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IRF7335D1中的两个MOSFET是单独优化其控制和同步开关功能的。同步的MOSFET有低的导通电阻，减少导通损耗。控制MOSFET有低的栅极总电荷和栅-漏电荷，减少开关损耗，有30V的击穿电压，满足处理输入尖锋电压的要求。内部的萧特基二极管有低正向压降，以满足快速和有效的开关。
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IR公司的手提产品市场部经理Shawn O'Grady说。 "新的双FEIKY Co-Pak的SO-14封装有客户定制的引线框，以改善热特性和多芯片能力。此外，这种结构还最小化器件的包装以及同步FET和并联萧特基二极管之间的PCB寄生电感，简化了板的布图，增加了效率。"
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下图为产品的外形图，下表为产品的主要性能。
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| Part Number | Package | ID @TPCB= 100oC(A) | VDS(V) | RDSon(max)m 欧姆@ VGS= 4.5V | Qg typ(nC) | Qgd typ(nC) | | Q1 | Q2 | Q2 + Diode | 12.8 | Q1 | Q2 + Diode | Q1 | Q2 + Diode | | IRF7335D1 | SO-14 | 11 | 30 | 30 | 17.5 | 12.8 | 13.3 | 15.6 | 4 | 5.4 | | Note: Q1=Control MOSFET, Q2=Synchronous MOSFET |
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10K定货量时价格为$1.25详情请上网：www.irf.com
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2002.09.17 |
