功率MOSFET保护单/双电池应用
| 8月8日讯，Siliconix公司日前推出五种N沟TrenchFET功率MOSFET器件，目标应用是单/双单元锂离子和锂聚合物电池盒和电路。 |
| 器件包括有两个芯片大小的功率MOSFET，每占位面积有低的导通电阻。对于尽可能低的低导通电阻应用，Siliconix公司提供了微小型的Si8900EDB,4.5V栅驱动时导通电阻只有24 m欧姆，二平均占位面积为8.07 mm2. |
| 对于微小型Si8902EDB，4.5V栅驱动时导通电阻只有45 m欧姆，而平均占位面积为3.68 mm2，以用于更小的设计。 |
| 这些双向20V微占位器件，其尺寸为0.62mm，适合手提设备紧凑的PCB。微占位器件取决于焊接工艺，Siliconix公司开发的专有的焊接方法，功率MOSFET芯片就不需要外层包装。两种产品Si8900EDB 和Si8902EDB的ESD保护达4000V。 |
| 墙上适配器需要30V的器件，双向的Si6876EDQ功率MOSFET在4.5V栅驱动时导通电阻为30 m欧姆，其封装为TSSOP-8。如果要用更低的电压，20-V Si6880EDQ的导通电阻在4.5V栅驱动时为18 m欧姆，也可工作到低于1.8V, 其封装也是TSSOP-8。两种器件的ESD保护为4000V。 |
| 为了改善热性能，30-V Si7902EDN双共漏功率MOSFET可用PowerPAK 1212-8封装，其小型体积为1.07mm,占位面积为10.56 mm2。Si7902EDN在4.5V栅驱动时，其导通电阻为28 m欧姆，ESD保护为3000V。 |
| 共漏器件在充电时能进行保护，防止过流和过压的出现，当电池充满电时防止向交流源放电。低导通电阻有助于延长电池寿命，增加手提设备如手机，PDA和寻呼机等的通话和待机时间. |
| 所有这五钟功率MOSFET工作在-55度to150度的温度范围。现在可提供Si8900EDB, Si8902EDB, Si6876EDQ, Si688EDQ和Si7902EDN的样品和量产。定货量为100K其价格从$0.60到$1.15。下图为产品外形图。详情请上网：www.siliconix.com |
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2002.08.12 |
