中国存储的猛攻：长鑫存储或成为巨头“霸权终结者”

韩国财经媒体近日发出警示：中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）正凭借其产能扩张与技术突破，对全球DRAM市场长期由三星电子、SK海力士及美光主导的“三强格局”构成实质性挑战。相关报道指出，随着长鑫存储在技术上的快速追赶以及持续推进的IPO计划，数十年来相对稳固的三巨头体系或将迎来变局。

报道称，长鑫存储近年来的发展速度令行业侧目。这家成立于2016年的企业，在短短数年间，不仅追平了巨头们数十年的技术积累，更已成功实现了DDR5内存的量产，踏入此前由韩美企业主导的高性能产品领域。其最新推出的DDR5与LPDDR5X产品，性能已分别达到8000Mbps和10667Mbps，标志着长鑫存储已从成本竞争阶段迈入技术竞争的新层面。

目前，长鑫存储正在推进IPO进程，计划募资将进一步聚焦在DRAM领域的关键技术升级与产能扩充，韩国媒体普遍认为，IPO的落地将进一步加速长鑫存储的崛起步伐，使其有更充足的资金投入高端产品研发，进一步提高在全球存储芯片领域的核心竞争力。

市场分析认为，在强有力的政策支持与稳定内需市场的推动下，长鑫存储已迅速成长为不可忽视的行业力量。根据Omdia数据，按2025年第二季度DRAM销售额统计，长鑫存储的全球市场份额已达3.97%，成为全球DRAM供应端的第四极。

行业观察人士指出，尽管短期内超越领先企业的技术壁垒仍具挑战，但长鑫存储持续的产能扩张、积极的技术攻关以及可能的资本市场助力，正在实质性改变全球存储产业的固有格局。

这一发展态势也引发了关于全球产业链格局可能重塑的讨论，长鑫存储的成长路径及其与本土产业链的潜在协同，被视为可能影响全球存储市场长期格局的关键变量。

综上所述，长鑫存储的快速崛起正在为全球DRAM市场注入新的变数。传统三巨头面临的不仅是又一个竞争对手，更是一个在技术研发、产品实力上具备全方位竞争力的新兴力量。全球存储芯片行业或许正从稳固的“三足鼎立”，逐步转向更具动态竞争的“多强并存”新阶段。