三星正在开发面向下一代HBM的2nm逻辑芯粒

据韩国媒体ZDNet报导，业内人士爆料称，三星HBM 研发团队正为不同客户需求量身打造面向下一代HBM的定制化逻辑芯粒，而且考虑采用最先进的2nm制程工艺进行代工。

报道称，三星第6代HBM 产品线（又称HBM4）的逻辑芯粒采用的SF4系列的4nm制程。内部人士透露，三星正在由去年于系统LSI（System LSI）事业部新成立的定制化SoC 团队主导，为HBM 设计定制化逻辑芯粒，该公司正建构从4nm到2nm的产品组合，以应对不同客户的需求。

业绩预计，下一代超高性能AI 加速器，将依赖最先进、最具未来性的HBM 模块。随着面向下一代HBM的2nm逻辑芯粒逐步成熟，预计第7代HBM4E可能将会采用，时间点可能会在2027年前后。