英诺赛科为800 VDC电源架构提供全GaN电源解决方案，赋能新一代AI Factories

800 VDC机架电源架构为人工智能数据中心带来突破性进展，可实现更高效率、更高功率密度，同时降低能耗需求并减少二氧化碳排放。如同电动汽车行业从400V向800V的升级，机架电压从48V提升至800V可使电流降低16倍，从而大幅减少I²R损耗以及铜材的需求。英诺赛科正与NVIDIA合作，携手支持800 VDC电源架构，为新一代GPU路线图的扩展提供保障。

基于48V电压的传统人工智能系统正面临严峻的挑战——效率低下、铜耗过高，超过45%的总功耗耗费在散热上。未来的人工智能集群（如搭载超过500块GPU的机架）若沿用旧式PSU电源设计，将无空间容纳计算单元。800 VDC架构正是支持系统从千瓦级跃升至兆瓦级的解决方案。

除了向800V机架电源过渡外，该架构还要求在800V到1V的电压转换中实现超高功率密度和超高效率。只有氮化镓功率器件（GaN）能够同时满足这些严苛要求。

为满足800 VDC的功率密度要求，电源开关频率必须提升至近1MHz，以缩小磁性元件和电容器的尺寸。现有机架式电源的典型开关频率最高约300kHz，如果提升至1MHz可使磁芯尺寸缩减约50%。

英诺赛科第三代氮化镓技术具备决定性优势：

• 在800V输入侧，英诺赛科氮化镓（GaN）与碳化硅（SiC）相比在每个开关半周期内可降低80%的驱动损耗和50%的开关损耗，从而实现整体功耗降低10%。

• 在54V输出端，仅需16颗英诺赛科氮化镓器件即可实现与32颗硅MOSFET相同的导通损耗，不仅将功率密度提升一倍，还使驱动损耗降低90%。

• 与现有机架架构中的硅MOSFET相比，800 VDC的低压电源转换阶段采用氮化镓材料可将开关损耗降低70%，并在相同体积内实现功率输出提升40%，大幅提升功率密度。

• 基于氮化镓的低压功率级可扩展以支持更高功率的GPU型号，其动态响应得到提升，同时降低了电路板上的电容成本。

作为业内唯一的全栈氮化镓供应商及领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科是唯一实现1200V至15V氮化镓量产的公司，可提供从800V到1V的全链路解决方案。这使英诺赛科成为唯一有能力为所有转换阶段提供全GaN功率解决方案的供应商，从容应对未来架构为满足更高功率需求的演变。

英诺赛科氮化镓在可靠性方面同样处于领先地位。其第三代器件已通过严苛的加速应力测试，包括加长的2000小时动态HTOL测试、高温（175°C）验证及大样本失效验证。自主开发的在线动态电阻监测与长期板级应力测试确保其数据中心级产品的高性能工作寿命超过20年。

作为全球领先的氮化镓IDM企业，英诺赛科第三代氮化镓器件具备卓越的快速开关特性、高效率、高功率密度及优异可靠性。通过整合800 VDC电源架构与英诺赛科氮化镓技术，人工智能数据中心将实现从千瓦级机架到兆瓦级机架的飞跃，开启更高效、更高性能、更可靠且更环保的人工智能加速计算新时代。