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特斯拉明年将采用台积电3nm芯片

除了传统客户联发科、AMD、英伟达、英特尔、高通外,特斯拉也已确认参与台积电(TSMC)明年的3nm NTO芯片设计定案(New Tape-Outs,NTOs)。报道称,特斯拉成为台积电N3P的客户也表明,其打算利用该尖端技术生产下一代全自动驾驶(FSD)智能驾驶芯片。

据了解,台积电N3P工艺计划预计在2024年投产,与N3E工艺相比,N3P的性能提高5%,功耗降低5%到10%,芯片密度提高1.04倍。台积电表示,N3P的性能、功耗和面积(PPA)指标,以及技术成熟度,都超过了英特尔的18A工艺。

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