晶能SiC半桥模块试制成功

近日，晶能首款SiC半桥模块试制成功，初测性能指标达到国际一流水平。

晶能SiC半桥模块

该模块电气设计优异，寄生电感5nH；采用双面银烧结与铜线键合工艺，配合环氧树脂转模塑封工艺，持续工作结温达175℃，在800V电池系统中输出电流有效值高达700Arms。

此次SiC半桥模块是为应对新能源汽车主牵引驱动器的高功率密度、高可靠性等需求研发的重要产品。涵盖750V/1200V耐压等级，至多并联10颗SiC芯片，可应对纯电及混动应用场景下的不同需求挑战。