GaN Systems为瑞萨提供氮化镓，用于48V／12V双向DC／DC转换器

GaN Systems 日前宣布，瑞萨电子公司的新型汽车 48V/12V 双向 DC/DC 转换器由 GaN Systems提供功率晶体管，从而显着提高了功率密度。 新的转换器采用 GaN Systems 的 GS61008P（一款 100V 增强型硅基 GaN 功率晶体管），实现系统尺寸减小 46%。

瑞萨电子的解决方案针对需要高效率 48V/12V DC/DC 转换器的 48V 轻度混合动力汽车和电动摩托。 GaN 可实现高开关频率和高效率，这意味着更小的磁性元件和更小的尺寸。 与使用 Si-MOSFET 相比，GaN Systems 的 GaN HEMT 可以将 PCB 面积缩小 50%。

新转换器的优点如下四点：

利用 GaN Systems出色的晶体管开关能力，PCB 面积减少了 46%，从而实现了开关频率高达 500kHz 的高效电源转换器。 这允许使用非常小的 1.3μH 电感器，从而显着减小尺寸和重量。

在广泛的负载范围内具有高效率。GaN与自动降相功能相结合，即使在低负载下也能实现高效功率转换，在400W至3kW的宽负载范围内功率效率超过94%。

ISL78226 PWM 控制器无需开发复杂的 DC/DC 转换器控制软件。

半桥驱动器 ISL78420/444 提供了一种简单且经济高效的驱动 GaN 晶体管的方法。

GaN 首席执行官 Jim Witham 表示：“汽车行业的客户不断寻求功率密度和成本的改进，这种设计再次反映出 GaN 以更小、更高效且更具成本效益的设计显着提高了功率密度。该设计来自瑞萨电子这一事实意义重大，因为他们是汽车半导体解决方案的市场领导者，在了解行业需求方面享有盛誉。 这是将 GaN 技术的优势带给该客户群的重要一步。”

虽然 GaN 在消费电子等行业具有巨大的吸引力，但 GaN 也正在成为混合动力和电动汽车中功率转换和电池充电的首选技术。 GaN 以极低的成本提供比硅和碳化硅更高的性能，从而能够经济高效地减轻各种电动汽车的重量并提高其效率。