GF的12LP工艺上的Arm互连技术可实现高性能和低延迟，同时为AI，云计算和移动SoC中的多核设计增加带宽
日前，GLOBALFOUNDRIES宣布，它已经开发出基于Arm的3D高密度芯片，该芯片满足实现更高水平的系统计算应用程序（如AI / ML和高端消费者移动和无线解决方案）的性能和功效。新芯片采用GF的12nm（12LP）FinFET工艺制造，采用3D的Arm互连技术，允许数据更直接地进行内核传输，从而最大限度地减少延迟，满足数据中心、边缘计算和高端消费电子应用所需的数据传输速率。
该芯片的交付展示了Arm和GF在研究和开发差异化解决方案方面所取得的快速进展，这些解决方案可以提高产品的密度和性能，实现可扩展的高性能计算。此外，双方还使用了GF的混合晶圆与晶圆键合 3D DFT方法，该方法可实现每平方毫米多达100万个3D连接，从而满足了未来12nm的设计扩展的可能。
“Arm的3D互连技术使半导体行业能够继续延续摩尔定律，以满足更多样化的计算应用。”Arm研发副总裁Eric Hennenhoefer表示。“GF在制造和先进封装能力方面的专业知识，结合Arm技术，为我们的共同合作伙伴提供了额外的差异化，为下一代高性能计算开辟了新的范例。”
“在大数据和认知计算时代，先进的封装技术正在发挥比以往更大的作用。人工智能的使用以及对高能效，高吞吐量互连的需求正在通过先进的封装方式推动处理器的演进。“GF的平台首席技术专家John Pellerin表示。“我们很高兴与Arm等创新合作伙伴合作，提供先进的封装解决方案，进一步集成了各种节点技术，这些技术针对逻辑扩展，内存带宽和RF性能进行了优化且具有小尺寸。这项工作将使我们能够发现先进封装的新见解，使我们的共同客户能够更有效地创建完整，差异化的解决方案。“
GF的业务模式已经转变，使其客户能够开发新的市场和专注于应用的解决方案，专为满足当今苛刻市场的需求而设计。 GF的3D面对面（Face-to-Face）封装解决方案不仅为设计人员提供了异构逻辑和逻辑/存储器集成的途径，而且可以使用最佳制程制造，从而实现更低的延迟，更高的带宽和更小的特征尺寸。这种方法以及早期与Arm等合作伙伴的合作，为客户提供了最大的选择和灵活性，同时为其下一代产品节省了成本并缩短了量产时间。