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如何使用LTspice获得出色的EMC仿真结果—第1部分

作者:Richard Anslow 和 Sylvain Le Bras 

摘要

随着物联网互联设备和5G连接等技术创新成为我们日常生活的一部分,监管这些设备的电磁辐射并量化其EMI抗扰度的需求也随之增加。满足EMC合规目标通常是一项复杂的工作。本文介绍如何通过开源LTspice®仿真电路来回答以下关键问题:(a) 我的系统能否通过EMC测试,或者是否需要增加缓解技术?(b) 我的设计对外部环境噪声的抗扰度如何?

为何要使用LTspice进行EMC仿真?

针对EMC的设计应该尽可能遵循产品发布日程表,但事实往往并非如此,因为EMC问题和实验室测试可能将产品发布延迟数月。

通常,仿真侧重于电子设备的功能方面;但是,诸如 LTspice 之类简单的开源工具也可以用来仿真任何设备的EMC行为。由于许多人在家工作,并且EMC实验室的成本高昂(每天高达2000美元),因此准确的EMC仿真工具更显价值。花几个小时对EMC故障和电路修复情况进行仿真,有助于避免多次实验室测试迭代和昂贵的硬件重新设计。

为了发挥作用,EMC仿真工具需要尽可能准确。本系列文章会提供一些指南和LTspice EMC电路模型,这些模型经过仿真并与实际实验室测量结果非常吻合。

这是三篇系列文章的第一部分,这些文章为一个示例传感器信号链提供了EMC仿真模型,其核心是MEMS振动传感器。不过,许多器件和EMC仿真技术并非MEMS解决方案所独有的,而是可以广泛用于各种应用。

• 第1部分:电源器件与传导辐射和抗扰度。
• 第2部分:电缆驱动收发器链路上的信号完整性和瞬变鲁棒性。
• 第3部分:信号调理器件及如何提高对外部噪声的抗扰度。

使用LTspice解决辐射和抗扰度问题

阅读本文后,您应该能够回答以下关键问题:

(a) 我的系统是否有可能通过EMC测试?是否应该为共模电感、滤波电感或电容预留空间?阅读本文后,您应该能够使用LTspice绘制降压转换器电源设计的差分和共模噪声图,并展示电路超过(失败)还是未超过(成功)传导辐射标准限值,如图1所示。

LTspice plot of differential and common-mode noise
图1. 差分和共模噪声的LTspice图,附有传导辐射限值线

(b) 是否需要线性稳压器来为敏感负载提供稳定的电压?阅读本文后,基于设计容许的降压输出纹波电压电平,您应该能够使用LTspice了解降压转换器的输出端是否需要LDO稳压器。此外,本文还提供了一个可配置的电源抗扰度(PSRR)测试电路。

用于传感器的降压转换器

MEMS振动传感器通常被置于一个小型金属外壳中,其直径通常为20 mm至30 mm,高度为50 mm至60 mm。带有数字信号链的传感器通常由长电缆提供9 VDC至30 VDC电源,功耗低于300 mW。为了能放入这种小型外壳内,需要高效率、宽输入范围的微型电源解决方案。

LT8618、LT8618-3.3 和 LT8604 是紧凑型高速降压开关稳压器,非常适合MEMS传感器应用。LT8618和LT8618-3.3已有相应的LTspice模型。LT8618具有良好的稳压能力,提供非常低的输出纹波,其峰峰值小于10 mV。然而,输出电容组的寄生电阻和电感会增加这种纹波,导致降压电路产生有害的传导辐射。容性负载、降压稳压器的输出开关寄生效应以及PCB设计和传感器外壳之间的耦合电容,都可能引起寄生效应。

提取和使用寄生值

接下来介绍工程师如何使用 Würth REDEXPERT 从实际电容中提取ESL和ESR寄生值,并使用LTspice进行电路仿真。在许多系统的输入端和输出端,电容和电感的寄生效应对EMI性能起着重要作用。为了降低系统输出纹波,分离各种寄生贡献有助于用户做出最佳选择。

我们使用LTspice和Würth REDEXPERT流程来讨论降压转换器的传导辐射仿真,如图2所示。对于降压转换器,通常来说,输出纹波与信噪比(SNR)相关,而输入纹波与EMC性能密切相关。

Process flow for simulating conducted emissions using LTspice
图2. 使用LTspice进行传导辐射仿真的流程

概述图2所示的仿真方法之后,本文将使用 DC2822A LT8618演示板进行实际的实验室测量和仿真相关性分析。

使用Würth REDEXPERT数据的LTspice测试电路

降压转换器的输出纹波电压是电容阻抗和电感电流的函数。为了获得更好的仿真精度,可以使用Würth REDEXPERT来选择4.7 µF输出电容(885012208040),并提取随频率变化的ESR和ESL。ESL和ESR有时会被加载到LTspice电容模型中,但快速检查将证明LTspice电容数据经常会忽略ESL。图3a和3b显示了两个等效电路:(a) 使用4.7 µF输出电容以及分立的ESL和ESR值;(b) 使用包含ESR和ESL参数的Würth电容。

LTspice test circuits
图3. LTspice测试电路:(a) 使用4.7 μF电容以及分立的ESL和ESR值;(b) 使用包含ESR和ESL参数的Würth电容

REDEXPERT显示了许多元件的随频率而变化的阻抗,以帮助确定每个无源器件的关键寄生效应。这些寄生值稍后可以在LTspice模型中实现,从而能够单独评估其对总电压纹波的贡献。

如前所述,LT8618提供非常低的输出纹波,峰峰值小于10 mV。但是,当模拟容性负载和ESL的影响时,输出纹波电压为44 mV p-p。在频率范围内,电容ESL对噪声的贡献相当大,如图4的FFT图所示。

An FFT plot showing individual contribution to frequency spectrum
图4. FFT图显示了一个4.7 μF电容的纯电容、ESL和ESR各自对频谱的贡献

使用LTspice LISN电路评估降压输入端的EMI合规性

为了评估传导设置中的EMC合规性,大多数标准依赖于线路阻抗稳定网络(LISN)或人工电源网络(AMN)。这些器件具有类似的功能,位于电路电源和被测器件(DUT)——这里是降压转换器——之间。LISN/AMN由低通和高通滤波器组成。低通滤波器提供从低频电源(直流至几百赫兹)到DUT的路径。高通滤波器用于测量电源和返回电源线噪声。这些电压是在50 Ω电阻上测量,如图5和图61所示。在实际实验室中,该电压使用EMI接收器来测量。LTspice可用来探测噪声电压并绘制传导辐射测试频谱图。

LISN placed between power supply and device under test
图5. LISN置于电源和被测器件(DUT)之间

Representation of common- and differential-mode interference inside an LISN
图6. LISN内部的共模和差模干扰的表示1

传导辐射可分为两类:共模(CM)噪声和差模(DM)噪声。区分CM和DM噪声很重要,因为EMI缓解技术可能对CM噪声有效,但对DM噪声无效,反之亦然。由于V1和V2电压同时输出,因此在传导辐射测试中可以使用LISN来分离CM和DM噪声,如图61所示

DM噪声在电源线和返回线之间产生,而CM噪声是通过杂散电容CSTRAY在电源线和接地参考平面(例如铜测试台)之间产生。CSTRAY实际上模拟了降压转换器输出端的开关噪声寄生效应。

图6对应的LTspice LISN电路如图7所示。为了获得更高的仿真精度,使用L5和L6电感来模拟LISN电源引线到测试电路的电感。电阻R10模拟测试板开槽接地层的阻抗。图7还包括用于模拟CSTRAY的电容C10。电容C11模拟传感器PCB和传感器机械外壳之间的寄生电容。

 LTspice LISN circuit, LT8618 buck converter, and parasitic modeling
图7. LTspice LISN电路、LT8618降压转换器和寄生建模

运行仿真时,应设置LTspice以帮助LISN电路更快达到稳定状态,因为启动条件选择错误可能导致长期持续振荡。

确保取消勾选"Start External DC Supply Voltages at Zero"(从零启动外部直流电源电压),并根据需要指定电路元件的初始条件(电压和电流)。

图8显示了CM和DM噪声,使用的是从LISN端子V1和V2测得的LTspice FTT图。为了再现图6所示的算术运算,对于DM噪声,V1和V2相减后乘以0.5;对于CM噪声,V1与V2相加,结果乘以0.5。

LTspice FFT plot for DM noise (black) and CM noise (blue)
图8. DM噪声(黑色)和CM噪声(蓝色)的LTspice FFT图

在实验室中,传导辐射通常以dBµV为单位进行测量,而LTspice的默认单位为1 dbV。两者之间的关系为1 dbV = 120 dBµV。

因此,DM噪声(以dBµV为单位)的LTspice表达式为

Equation 1

CM噪声的表达式为

Equation 2

添加传导辐射限值线

LTspice FFT波形查看参数可以通过绘图设置文件进行编辑。使用LTspice FFT菜单,导航到"Save Plot Settings"(保存绘图设置)并点击保存。绘图设置文件可以使用文本编辑器打开,并且可以进行操作以添加EN 55022传导辐射限值线以及相关的EMC频率范围(10 kHz至30 MHz)和幅度(0 dBµV至120 dBµV)。

EN 55022传导辐射标准频率和幅度限值可以利用Excel进行操作,以提供正确的语法来复制和粘贴到LTspice绘图设置文件,如图9所示。线定义可以粘贴到绘图设置参数中,如图10所示。图10还显示了X频率和Y幅度参数。

Generating the right syntax to copy and paste to the LTspice plot settings file
图9. 生成正确的语法以复制并粘贴到LTspice绘图设置文件

Adding the conducted emissions pass/fail line definition and frequency/magnitude scales
图10. 添加传导辐射通过/失败线定义和频率/幅度刻度

图11显示了传导辐射限值线,以及降压电路的DM和CM传导辐射。电路在2.3MHz至30 MHz频段内未通过辐射测试。

LTspice FFT plot and EN 55022 conducted emissions limit line
图11. LTspice FFT图和EN 55022传导辐射限值线

解决降压转换器EMI

为了降低电路的DM噪声,可以在输入轨上放置一个ESL和ESR非常低的电容,例如C12 22 µF Würth 885012209006,如图12所示。

Fixing the buck converter emissions
图12. 解决降压转换器辐射问题

为了降低CM噪声,可以从LTspice库中选择Würth共模扼流圈,例如250 µH 744235251(WE-CNSW 系列)。封装尺寸4.5 mm × 3.2 mm × 2.8 mm非常适合空间受限的MEMS传感器外壳。图13显示了问题解决后的降压转换器的FFT图。

An FFT plot with buck converter fixed
图13. 解决降压转换器问题后的FFT图

使用DC2822A LT8618演示板的实际实验室测量和仿真相关性

本文为LTspice进行传导辐射仿真提供了指导。这些方法可用于任何降压转换器电路。现在我们将注意力转向使用DC2822A LT8618演示板的仿真和EMC实验室相关性,如图14所示。DC2822A演示板包括多个输入和输出电容,这些电容未包含在以前的仿真模型中(例如图7和图12)。图15中显示的LTspice模型包括这些电容,以及使用Würth REDEXPERT获得的电容ESL和ESR值。

DC2822A LT8618 demo board
图14. DC2822A LT8618演示板

LTspice model corresponding to the DC2822A demo board VIN configuration
图15. DC2822A演示板VIN配置对应的LTspice模型

DC2822A演示板包括两个电源输入:VIN和VEMI。VIN输入电源轨绕过了PCB上使用的铁氧体磁珠。图15 LTspice模型对应于演示板VIN配置。图16显示了LTspice仿真的FFT,共模辐射在2 MHz时略微超过传导辐射限值线。

LTspice FFT plot corresponding to the DC2822A VIN configuration
图16. DC2822A VIN 配置对应的LTspice FFT图

为了减少仿真时间,并优化LTspice仿真与DC2822A演示板实验室测量的匹配度,相比之前的模型(图7和图12),我们对图15进行了以下更改:

• 无需模拟外壳和PCB之间的100 pF电容。我们只为DC2822A演示板建模。
• 从一开始就假设这个设计良好的PCB上的开关噪声可以忽略不计。之前,我们在图7和图12中估计了5 pF的开关噪声。
• 忽略LISN和DC2822A演示板之间导线的非常小电感。
• 添加1 kΩ电阻与50 µH LISN电感并联以减少仿真时间(缩短LISN建立时间)。

对图15电路进行上述改变之后,图17显示了LTspice仿真与EMC实验室中DC2822A演示板的实际测量的比较。LTspice仿真模型非常准确地预测到实际实验室辐射的主要峰值。

DC2822A VIN configuration, comparison of LTspice and actual EMC lab emissions
图17. DC2822A VIN配置,LTspice和实际EMC实验室辐射的比较

通过铁氧体磁珠(EMI滤波器)VEMI轨测量,DC2822A演示板轻松符合60 dBµV的传导辐射限值线。事实上,在较低频率时,DC2822A演示板只有30 dBµV至35 dBµV的辐射。

传导抗扰度

有线状态监控传感器具有严格的抗扰度要求。对于铁路、自动化和重工业(例如纸浆和纸张加工)的状态监控,振动传感器解决方案需要输出低于1 mV的噪声,以避免在数据采集/控制器处触发错误的振动水平。这意味着电源设计向测量电路(MEMS信号链)输出的噪声必须非常低(低输出纹波)。电源设计还必须不受耦合到电源电缆的噪声的影响(高PSRR)。

如前所示,由于非理想的容性负载和突发操作,LT8618可能有数十毫伏的输出纹波。对于MEMS传感器应用,LT8618的输出端需要一个超低噪声和高PSRR的LDO稳压器,例如 LT3042。

针对抗扰度(PSRR)的灵活仿真电路

图18所示的LTspice电路可用来仿真LT3042的PSRR。图18所示的时域瞬变模型是交流扫描方法的替代方法。这种时域模型比交流方法更灵活,甚至允许用户对开关稳压器的PSRR进行仿真。仿真电路频率扫描电压输入轨的变化,并模拟输出电压的相应变化。换句话说,仿真评估如下方程:PSRRLT3042 = 频率范围内(VIN变化)/(VOUT变化)。

Simulating the PSRR of the LT3042 LDO regulator
图18. 在10 kHz至80 MHz范围内仿真LT3042 LDO稳压器的PSRR

图18含有几个强大的语句。.meas和.step语句的组合使用户能够在LDO输入端添加电压噪声源,并在频率范围内测量电压输入阶跃变化情况下的LDO PSRR。

.meas语句

允许用户在一个时间范围内测量信号的峰峰值并将其输出到SPICE错误日志。图18测量了输入和输出纹波,并计算测量数据的PSRR。所有这些都输出到SPICE错误日志中。

.step语句

在单次仿真运行中,.step命令可用于扫描变量的一系列值。图18中的.step语句在50 Hz至10 MHz范围内阶跃改变V2电压源正弦波。

C2输出电容初始电压可设置为3.3V,以加快建立(和仿真)时间。这是通过编辑电容属性来完成的,通过禁用LTspice中的"Start External DC Supply Voltage at 0 V"选项可以进一步加快速度。

使用SPICE错误日志

仿真完成后,右键单击其中一个窗口,选择查看并选择SPICE错误日志(或使用Ctrl+L热键)。SPICE错误日志包含.meas语句的数据点。

要绘制.meas数据图,请右键单击错误日志并选择绘制阶跃.meas数据,右键单击空白屏幕以选择"Add Trace"(添加迹线,或使用Ctrl+A)并选择PSRR。右键单击x轴,选中单选按钮以显示对数刻度。这将显示PSRR随频率的变化,如图19所示。

Plotting the simulated PSRR of the LT3042 LDO regulator
图19. 绘制LT3042 LDO稳压器的仿真PSRR图

原始LT3042数据手册曲线中的一些伪影不可见(约2 MHz),但整体形状和值与数据手册接近。

图20显示了频率范围内的输出电压纹波。在50 Hz至10 MHz范围内,它小于200 µV。在相同频率范围内,输入电压纹波为1 V p-p。LT3042为噪声敏感的MEMS解决方案提供了出色的PSRR和低噪声电源。

Plotting the LT3042 simulated output voltage ripple over frequency
图20. 绘制LT3042仿真输出电压纹波随频率的变化图

使用SPICE错误日志的.meas方法可用来仿真许多其他参数,包括:

• 开关稳压器的PSRR
• PSRR、电压差与频率三者的关系
• PSRR与旁路网络的关系
• RMS输出纹波与直流输入的关系
• 效率与元件值的关系

小结

本文提供了LTspice仿真电路和方法,用以绘制降压转换器电源设计的差分和共模噪声图。本文让用户能够绘制传导辐射限值线,并帮助预测EMC实验室故障。仿真方法通过实验室测量得到验证,与LT8618 DC2822A演示板实测结果匹配。

在LT8618降压转换器的输出端使用LT3042 LDO稳压器,可为MEMS传感器应用提供超低噪声、高PSRR解决方案。针对PSRR的灵活仿真电路表明结果与LT3042数据手册有良好的一致性。在50 Hz至10 MHz范围内,即使存在较大的1 V p-p输入电压噪声,LT3042的仿真输出纹波也小于200 µV。

参考电路

1 Ling Jiang、Frank Wang、Keith Szolusha和Kurk Mathews。 “传导辐射测试中分离共模和差模辐射的实用方法” 。模拟对话,第55卷第1期,2021年1月。
2 Gabino Alonso. “LTspice:使用 .MEAS 和 .STEP 命令计算效率” 。ADI公司

致谢

作者要感谢ADI公司电源产品部和Würth Elektronik对本文的贡献。

作者

Richard Anslow

Richard Anslow

Richard Anslow毕业于爱尔兰利默里克大学,获工程学士和硕士学位。他从事新产品定义工作,并且担任面向客户的角色,处理有关ADI隔离式通信产品系列的问题。

Sylvain Le Bras

Sylvain Le Bras

Sylvain Le Bras是Würth Elektronik的一名现场应用工程师,专注于电源和电磁兼容性。加入Würth Elektronik之前,Sylvain在ABB和技术转让实验室担任过多种研发职位。他毕业于法国南特大学理工学院,获工程硕士学位。

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